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驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器(光耦合;磁耦合)。 [2] 由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高,容易被干扰,故驱动电路应具有良好的电气隔离性能,以实现主电路与控制电路之间的隔离,使之具有较强的抗干扰能力,避免功率级电路对控制信号的干扰。

光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离,是一种电路简单可靠,又具有电气隔离作用的电路,但其对脉冲的宽度有较大限制,若脉冲过宽,磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大,甚至使其烧毁,而若脉冲过窄,为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。光电隔 离,是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小,解决了栅极驱动源低阻抗的问题,但由于光耦合器响应速度较慢,因而其开关延迟时间较长,限制了适应频率。

驱动电路的实质是给栅极电容充放电

开通:

1.驱动电压足够高,一般>10V;(减小RDS(on))

2.足够的瞬态驱动电流,快的上升沿; (加速开通)

3.驱动电路内阻抗小。 (加速开通)

关断:

1. 足够的瞬态驱动电流,快的下降沿; (加速关断)

2. 驱动电路内阻抗小。 (加速关断)

3. 驱动加负压。 (防止误导通)